PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，最多可同时挂载6个自力反映腔。gai装备应用分区进气和气体快速切换系统，兼容Bosch和Non-Bosch工艺，可实现差异尺寸结构的硅通孔和沟槽刻蚀。gai装备能知足结构中要求的平滑侧壁轮廓和严酷的角度控制，为深硅刻蚀提供优异的解决方案。
