ACE I300(V)主要用于8/12英寸光刻胶干法刻蚀。gai机台为twins腔设计，接纳高效离子过滤装置及多气体系统，可实现刻蚀后去胶、高能离子注入后去胶、硬掩模去除、残胶去除、外貌处置赏罚等，并最洪流平降低等离子体造成的底层质料损伤。设置3腔平台及智能算法系统，知足大产能量产需求。
