本产物主要应用于12英寸集成电路（IC）领域 低压化学气相 氮化硅（SiN）薄膜沉积，Film厚度可笼罩5nm~400nm，兼容高/低温成膜工艺（630℃~780℃），可实现平面及沟道高质量成膜，台阶笼罩率达95%以上，工艺窗口笼罩面广，可替换部门小批量处置赏罚机型工艺，WPH可提升45%以上。gai机台可举行全自动工艺流程，系统主要由传输？、工艺？、控制模块和隶属装备组成。可实现原位洗濯、温度自瞄准Tuning等功效，有用控制颗粒，提升机台膜质匀称性（面内＜1%），降低维护时间，节约人力，为客户提供高效，低成本的优质装备。