本产物主要应用于12英寸集成电路（IC）领域原子层氮化硅(SiN)薄膜沉积工艺。支持等离子体zeng强(PE)或纯热原子层沉积工艺，具备多种元素掺杂手艺和膜质优化（氢处置赏罚）手艺，知足差异chang景的工艺需求。gai产物可通过对晶圆面内薄膜厚度调控实现凹凸膜厚漫衍图调整。gai产物可实现全自动工艺运行并兼具原位自洗濯功效，可有用控制细小颗粒、降低维护时间以提高装备使用率；接纳高精度温度chang控制、先进的气流chang控制和优异的微情形控制手艺，可批量处置赏罚12英寸晶圆以实现高产能生产。